Кафедра физики низких температур и сверхпроводимости

Кульбачинский Владимир Анатольевич

Дата и место рождения

7 декабря 1947, Москва, Россия

Текущий статус

Профессор Физического Факультета МГУ им М. В. Ломоносова, дфмн

Образование

  • Физический факультет Московского Государственного Университета им. М.В. Ломоносова (1972);
  • Аспирантура Физического Факультета МГУ им. М.В. Ломоносова (1978);
  • Доктор наук (1991);

Научные интересы

  • 2D полупроводниковые структуры;
  • Квантовые точки;
  • Термоэлектрические материалы;
  • Разбавленные магнитные полупроводники;
  • спинтроника;
  • сверхпроводимость;
  • соединения, интрекалированные графитом;
  • алмазы и связанные с ними материалы;
  • С60 и фуллерены;

Учебная деятельность

Курсы и лекции:

  • Физика наносистем
  • Физика конденсированного состояния вещества
  • Физика систем с пониженной размерностью
  • Введение в физику конденсированного состояния
  • Квантовая теория твердого тела
  • Современные проблемы физики конденсированного состояния
  • Специальный физический практикум по физике низких температур

Изобретения и наград

  • Награда молодых ученых, физический Факультет МГУ (1978);
  • Гранты Москвы в области наук и технологий в сфере образования (1996 - 2005);
  • Диплом и медаль за выдающиеся достижения 20 века в области физики, Кембрижд, Англия (2000);
  • Лауреат премии правительства РФ в области образования (2012)

Публикации

  • Более 300 публикаций и 8 книг;

Избранные публикации

  • Н.Б. Брандт, В.А. Кульбачинский, "Квазичастицы в физике конденсированного состояния" ,М., Физматлит 2005,2007, 2016, 632 стр.;
  • В.А. Кульбачинский, "Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки", Москва, МГУ, 1978, 165 стр.;
  • Das D., Malik K., Deb A.K., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Chatterjee S., Dhara S., Bandyopadhyay S., Banerjee A., Tuning of thermoelectric properties with changing Se content in Sb2Te3, в журнале Europhysics Letters, том 113, с. 47004-p1-47004-p6;
  • Oveshnikov L.N., Kulbachinskii V.A., Davydov A.B., Aronzon B.A., Rozhansky I.V., Averkiev N.S., Kugel K.I., Tripathi V. Berry phase mechanism of the anomalous Hall effect in a disordered two-dimensional magnetic semiconductor structure, в журнале Scientific reports (Nature), 2015, том 5, с. 17158-17158;
  • Ovsyannikov S.V., Morozova N.V., Korobeinikov I.V., Lukyanova L.N., Manakov A.Y., Likhacheva A.Y., Ancharov A.I., Vokhmyanin A.P., Berger I.F., Usov O.A., Kutasov V.A., Kulbachinskii V.A., Taku Okada, Shchennikov V.V. Enhanced power factor and high-pressure effects in (Bi,Sb)2(Te,Se)3 thermoelectrics, в журнале Applied Physics Letters, 2015, том 106, с. 143901-1-143901-5;
  • Heon-Jung Kim, Ki-Seok Kim, J-F Wang, Kulbachinskii V.A., Ogawa K., Sasaki M., Ohnishi A., Kitaura M., Y-Y Wu, Topological Phase Transitions Driven by Magnetic Phase Transitions in FexBi2Te3 (0 < x < 0.1) Single Crystals, в журнале Physical Review Letters, 2013, том 110, с. 136601-1-136601-5;
  • V.A. Kulbachinskii, N. Miura, H. Nakagava, et.al., "Conduction band structure of Bi2-xSbxSe3 mixed crystals by Shubnikov-de Haas and cyclotron resonance measurements in high magnetic fields". В журнале Phys. Rev. B., V. 59, N24, p. 15733 (1999).;
  • V.A. Kulbachinskii, S.G. Ionov, S.A. Lapin, A. de Visser - "Shubnikov-de Haas effect in low stage acceptor type graphite intercalation compounds." В журнале Phys. Rev.B V.51, N16, p.10313 (1995).

Индекс цитирования

1495

Контакты

+7 (495) 939-1147
+7 (495) 932-9217
комн. 1-04а